Технологические устройства ионно-плазменной обработки
ION-BREEZE
Высокочастотные
односеточные ионные источники
со самоскомпенсированным
ионным пучком
Диаметр ионного пучка 100 - 400 мм
Энергия ионов 10 - 250 эВ
Плотность ионного тока 0,5 - 6 мА/см2
Предназначены для использования в процессах ионно-лучевого ассистирования, плазменного травления, очистки, плазмохимического травления, распыления и др.
ION-TYPHOON
Высокочастотные сеточные ионные источники
Диаметр ионного пучка 100 - 300 мм
Энергия ионов 150 - 1500 эВ
Плотность ионного тока до 4 мА/см2
Предназначены для использования в процессах ионно-лучевого ассистирования, распыления, травления, очистки, полировки и др.
E-MONSOON
Высокочастотные источники электронов
Электронный ток: до 1000 мА
Энергия электронов: менее 50 эВ
Источники электронов предназначены для использования в процессах ионно-лучевого распыления, для нейтрализации положительного заряда ионного пучка.
PLASMA-CALM
Источники индукционного разряда
для непосредственной и удаленной
плазменной обработки
Диаметр плазмообразования 150 - 450 мм
Плотность плазмы ne до 10E13 см^-3
Энергия электронов плазмы менее 5 эВ
Источники предназначены для использования в процессах плазменной и плазмохимической обработки.
MOLLIS-RPS
Источники индукционного разряда для удаленной плазменной обработки
Диаметр плазмообразования 60 мм
Плотность плазмы ne до 10E13 см-3
Степень диссоциации более 90%
Предназначенный для радикальной обработки, травления, осаждения, удаления материалов в микроэлектронном производстве.
ION-IMBREM
Источники плазмы емкостного разряда для непосредственной плазменной обработки
Диаметр электрода 200 мм
Плотность плазмы ne до 10E11 см-3
Энергия ионов 10 - 800 эВ
Предназначены для использования в технологических установках плазменной обработки: плазмохимического осаждения, плазмохимического травления, реактивного ионного травления, очистки, активации и др